ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IPD50N06S4L12ATMA2
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Infineon Technologies
အပိုင်းနံပါတ်:
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
17005 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12800766
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
PvaU
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IPD50N06S4L12ATMA2 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
OptiMOS™
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±16V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2890 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
50W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
အဆင့်
Automotive
အရည်အချင်းပြည့်မီခြင်း
AEC-Q101
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PG-TO252-3-11
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IPD50
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
INFINFIPD50N06S4L12ATMA2
2156-IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2DKR
IPD50N06S4L12ATMA2TR
SP001028640
IPD50N06S4L12ATMA2CT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
IPC95R750P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7