ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
BSZ900N15NS3GATMA1
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Infineon Technologies
အပိုင်းနံပါတ်:
BSZ900N15NS3GATMA1-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
10222 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
13063964
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
uKSl
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
BSZ900N15NS3GATMA1 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ထုပ်ပိုးခြင်း
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
စီးရီးများ
OptiMOS™
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
အပိုင်းအနေအထား
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
150 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 75 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
38W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PG-TSDSON-8
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerTDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
BSZ900
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3 G
BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3GATMA1TR
BSZ900N15NS3 GDKR
BSZ900N15NS3GATMA1DKR
BSZ900N15NS3GATMA1CT
BSZ900N15NS3 GDKR-ND
SP000677866
BSZ900N15NS3 GTR-ND
BSZ900N15NS3 G-ND
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
5,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK