ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IRF630
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Harris Corporation
အပိုင်းနံပါတ်:
IRF630-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
11535 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
13077231
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
vU99
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IRF630 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
-
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
အပိုင်းအနေအထား
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
200 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220AB
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
353
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
