FCU4300N80Z
ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:

FCU4300N80Z

Product Overview

ထုတ်လုပ်သူ:

Fairchild Semiconductor

အပိုင်းနံပါတ်:

FCU4300N80Z-DG

ဖေါ်ပြချက်:

MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 800 V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole I-PAK

စာရင်းထည့်သွင်းမှု:

1000 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12946655
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
num_del num_add
*
*
*
*
ed1O
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်

FCU4300N80Z နည်းပညာအထူးပြုချက်များ

အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
ထုပ်ပိုးခြင်း
Bulk
စီးရီးများ
SuperFET® II
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
800 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
355 pF @ 100 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
27.8W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
I-PAK
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ

ဒေတာစာရွက်များ
FCU4300N80Z Datasheet

ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်

အခြားအမည်များ
FAIFSCFCU4300N80Z
2156-FCU4300N80Z
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
502

ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certification
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
international-rectifier

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

infineon-technologies

BSC091N03MSCGATMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDC654P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

diodes

BSS127SSN-7

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59