ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
ZVNL110ASTZ
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Diodes Incorporated
အပိုင်းနံပါတ်:
ZVNL110ASTZ-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 320mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12902258
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
gqxC
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
ZVNL110ASTZ နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Diodes Incorporated
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Box (TB)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
700mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
E-Line (TO-92 compatible)
ပက်ကေ့ / အမှု
E-Line-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
ZVNL110
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
ZVNL110ASTZ-DG
ZVNL110ASCT
ZVNL110ASTB
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
VN0109N3-G
ထုတ်လုပ်သူ
Microchip Technology
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
3705
DiGi အပိုင်းအမှတ်
VN0109N3-G-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.64
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXTA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
PMPB215ENEA/FX
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
DMN33D8LT-13
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
