ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
DRDPB26W-7
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Diodes Incorporated
အပိုင်းနံပါတ်:
DRDPB26W-7-DG
ဖေါ်ပြချက်:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT363
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12902178
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
yrOY
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
DRDPB26W-7 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), တစ်ခုတည်း, မူကြမ်းထားပြီး ကိုယ်ပိုင်ရောင်စူးမြင့်မြတ်စွာ ပြုလုပ်ထားသော Bipolar Transistors
ထုတ်လုပ်သူ
Diodes Incorporated
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
PNP - Pre-Biased + Diode
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
600 mA
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
50 V
ခုခံ - အခြေစိုက် (R1)
220 Ohms
ခုခံ - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
500nA
Frequency - transion
200 MHz
စွမ်းအင် - Max
200 mW
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-363
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
DRDPB26
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
DRDPB26WDITR
DRDPB26WDIDKR
DRDPB26WDICT
DRDPB26W7
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
DDTA123JE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
DDTA144WKA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
DDTA114YLP-7
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
