ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
DMN3022LDG-13
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Diodes Incorporated
အပိုင်းနံပါတ်:
DMN3022LDG-13-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 30V 7.6A (Ta), 15A (Tc) 1.96W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12888605
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
KVp6
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
DMN3022LDG-13 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
Diodes Incorporated
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
2 N-Channel (Dual)
FET အသွင်အပြင်
-
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
30V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
481pF @ 15V, 996pF @ 15V
စွမ်းအင် - Max
1.96W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerLDFN
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerDI3333-8 (Type D)
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
DMN3022
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
DMN16M0UCA6-7
MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
DMN2025UFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
DMC4029SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
