ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
DMN1150UFB-7B
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Diodes Incorporated
အပိုင်းနံပါတ်:
DMN1150UFB-7B-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 12 V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
27669 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12883503
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
M74k
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
DMN1150UFB-7B နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Diodes Incorporated
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
12 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
1.41A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±6V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
106 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
500mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
X1-DFN1006-3
ပက်ကေ့ / အမှု
3-UFDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
DMN1150
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
DMN1150UFB-7BDICT
DMN1150UFB-7BDITR
DMN1150UFB-7BDIDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
10,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
DMT3009LFVW-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN60H080DS-13
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
DMT3020LFCL-7
MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
