ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:

DMN1033UCB4-7

Product Overview

ထုတ်လုပ်သူ:

Diodes Incorporated

အပိုင်းနံပါတ်:

DMN1033UCB4-7-DG

ဖေါ်ပြချက်:

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:

Mosfet Array 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4

စာရင်းထည့်သွင်းမှု:

RFQ အြန္လိုင္း

12950310

ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ

ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁

3iSJ

(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်

တင်သွင်းမည်

DMN1033UCB4-7 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ

အမျိုးအစား

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ

ထုတ်လုပ်သူ

Diodes Incorporated

ထုပ်ပိုးခြင်း

-

စီးရီးများ

-

ထုတ်ကုန်အခြေအနေ

Obsolete

နည်းပညာ

MOSFET (Metal Oxide)

ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET အသွင်အပြင်

Logic Level Gate

ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ

-

လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds

-

စွမ်းအင် - Max

1.45W

လည်ပတ်နေသော အပူချိန်

-55°C ~ 150°C (TJ)

တောင်စောင်း အမျိုးအစား

Surface Mount

ပက်ကေ့ / အမှု

4-UFBGA, WLBGA

ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ

U-WLB1818-4

အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်

DMN1033

ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်

အခြားအမည်များ

DMN1033UCB4-7DIDKR

DMN1033UCB4-7DICT

DMN1033UCB4-7DITR

စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ

3,000

ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား

RoHS အခြေအနေ

ROHS3 Compliant

စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)

1 (Unlimited)

အခြေအနေ

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certification

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ

diodes

DMN3012LEG-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

nexperia

BUK9V13-40HX

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

nexperia

PSMN013-40VLDX

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

nexperia

PSMN4R2-40VSHX

MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D