MOSFET လမ်းညွှန် : အလုပ် မူဝါဒ ၊ အမျိုးအစား ၊ အသုံးအနှုန်း များ နှင့် ရွေးချယ် မှု အကြံပြု ချက် များ

သတ္တု-အောက်ဆိုဒ်-ဆီမွန်ကွန်ယက် စက်ကွင်း-အကျိုးသက်ရောက် ထရန်စီစတာ (MOSFETs) သည် ခေတ်သစ် အီလက်ထရွန်နစ်တွင် အရေးအပါဆုံး ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများထဲတွင် ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့၏ ဗွီတီထိန်းချုပ်လုပ်ဆောင်မှု၊ မြင့်မားသော အဝင်နှုန်းနှင့် လျင်မြန်သောပြောင်းလဲနိုင်စွမ်းတို့က ဒစ်ဂျစ်တယ်၊ အယ်လက္ခဏာနှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် MOSFET ဖွဲ့စည်းပုံ၊ လုပ်ဆောင်မှု၊ အမျိုးအစားများ၊ ပက်ကေ့ချ်များ၊ အကျိုးကျေးဇူးများနှင့် လက်တွေ့အသုံးပြုမှုများကို ရှင်းလင်းစွာ၊ ဖွဲ့စည်းထားသည့်နည်းဖြင့် ရှင်းပြထားသည်။

ဂ ၁ ။ MOSFET ခြုံငုံသုံးသပ်

ဂ ၂ ။ MOSFET သင်္ကေတနှင့် ကွန်ပျူတာများ

ဂ ၃ ။ MOSFET ၏ အတွင်းပိုင်း ဖွဲ့စည်းပုံ

ဂ၄။ MOSFET အလုပ် မူဝါဒ

ဂ ၅ ။ MOSFET ကို အီလက်ထရွန်နစ် ခလုတ် တစ် ခု အဖြစ် လုပ်ဆောင် ခြင်း

ဂ ၆ ။ MOSFETs အမျိုးအစား

ဂ ၇ ။ MOSFET ပက်ကေ့ချ်များ

ဂ၈။ MOSFETs အသုံးအနှုန်းများ

ဂ၉။ MOSFETs ၏ အကျိုးကျေးဇူး များ နှင့် အားနည်းချက် များ

ဂ ၁၀ ။ နိဂုံး

ဂ ၁၁ ။ မေးတတ်သောမေးခွန်းများ [FAQ]

Figure 1. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs)

၁. MOSFET ခြုံငုံသုံးသပ်

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) သည် ဂိတ် သို့ ထည့်သွင်း ထား သော ဗွီတီ တစ် ခု ဖြင့် ဖန်တီး ထား သော လျှပ်စစ် စက်ကွင်း တစ် ခု ဖြင့် လက်ရှိ စီးဆင်း မှု ကို ထိန်းချုပ် ထား သော စက်ကွင်း အကျိုး သက်ရောက် ထရန်စီစတာ တစ် ခု ဖြစ် သည် ။ ဂိတ် သည် ဆီလီကွန် ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ( SiO₂ ) ၏ ပါးပါး သော အလွှာ တစ် ခု ဖြင့် ဆီမွန်ကွန် လမ်းကြောင်း မှ လျှပ်စစ် အကာအကွယ် ထား သောကြောင့် ၎င်း ကို IGFET ( Insulated-Gate Field-Effect Transistor ) ဟု လည်း ခေါ် သည် ။ ဤ အဆောက်အအုံ သည် အလွန်အမင်း မြင့်မား သော အဝင် အတားအဆီး ကို ဖြစ် ပေါ် စေ ပြီး ကိရိယာ ကို ဗွီတီ ထိန်းချုပ် ထား သော အစိတ်အပိုင်း တစ် ခု အဖြစ် လုပ်ဆောင် ရန် ခွင့်ပြု သည် ၊ ထို နေရာ တွင် ဂိတ် မှ ရင်းမြစ် ဗိုလ် ( ဗွီဂျီအက်စ် ) သည် ရေနိမ့် နှင့် ရင်းမြစ် အကြား ဆက်သွယ် မှု ကို ထိန်းချုပ် သည် ။

၂. MOSFET သင်္ကေတ နှင့် ကွန်ပျူတာ များ

Figure 2. MOSFET Symbol and Terminals

MOSFET တွင် ဂိတ် (G) ၊ ရေနုတ် (D) ၊ ရင်းမြစ် (S) နှင့် ကိုယ်ခန္ဓာ သို့မဟုတ် အောက်ခြေ (B) တို့ ၏ အစွန်း လေး ခု ရှိ သည် ။ လက်တွေ့ ကျ ကိရိယာ အများစု တွင် ၊ ကိုယ်ခန္ဓာ သည် အရင်းအမြစ် နှင့် အတွင်းပိုင်း ဆက်သွယ် ထား သောကြောင့် ၊ အမ်အိုအက်စ်ဖက်တီ ကို အများအားဖြင့် ကိုယ်စားပြု ပြီး သုံး-စွန်း ကိရိယာ တစ် ခု အဖြစ် အသုံးပြု သည် ။

၃. MOSFET ၏ အတွင်းပိုင်း ဖွဲ့စည်းပုံ

Figure 3. Internal Structure of a MOSFET

MOSFET ကို အကာအကွယ်ပေးထားသော ဂိတ်အဆောက်အအုံတစ်ခုပတ်လည်တွင် တည်ဆောက်ထားသည်။ ဂိတ် လျှပ်စစ် ကို ဆီမွန်ကွန် မျက်နှာပြင် မှ ပါးပါး သော SiO₂ အလွှာ တစ် ခု ဖြင့် ခွဲခြား ထား သည် ။ ဤ အောက်ဆိုဒ် အောက် တွင် ၊ အလွန်အကျွံ ရောစပ် ထား သော ရင်းမြစ် နှင့် ရေနုတ် နယ်မြေ များ ကို ဖွဲ့စည်း ထား ပြီး ၊ ကိရိယာ သည် လျောက်ပတ် စွာ ဘက်လိုက် သောအခါ ၎င်း တို့ အကြား လျှပ်စစ် လမ်းကြောင်း တစ် ခု ပေါ်ထွက် လာ သည် ။

သာမန် NMOS ကိရိယာတစ်ခုတွင် အရင်းအမြစ်နှင့် ရေစီးကြောင်းသည် n-အမျိုးအစားဖြစ်စဉ် အောက်ခြေသည် p-အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ဂိတ် ဘက်လိုက် မှု မ ရှိ ဘဲ ၊ အရင်းအမြစ် နှင့် ရေနုတ် အကြား ခိုင်မာ သော လမ်းကြောင်း မ ရှိ ပါ ၊ ရှင်းလင်း သော အဖွင့် နှင့် ပိတ် အခြေအနေ များ လိုအပ် သော အသုံးအနှုန်း များ အတွက် MOSFETs ကို ကောင်းမွန် စွာ ပြုလုပ် သည် ။

၄. MOSFET အလုပ် မူဝါဒ

Figure 4. MOSFET Working Principle

MOSFET တစ် ခု သည် ဂိတ် ဗွီတီ မှ ဖန်တီး ထား သော လျှပ်စစ် စက်ကွင်း ကို အသုံးပြု ၍ လက်ရှိ ကို ထိန်းချုပ် သည် ။ ဂိတ် နှင့် အောက်ဆိုဒ် အလွှာ သည် အမ်အိုအက်စ် ကိရိယာ အဖြစ် မကြာခဏ ရည်ညွှန်း သော ၊ ကွန်ပျူတာ တစ် ခု နှင့် ဆင်တူ သော ဖွဲ့စည်းပုံ တစ် ခု ကို ဖွဲ့စည်း ထား သည် ။ သိသာထင်ရှားသော ရေစီးကြောင်းသည် ဂိတ်ဗိုလ်က ဆက်သွယ်ရေးလမ်းကြောင်းတစ်ခုကို ဖန်တီးသည့်အခါတွင်သာ စီးဆင်းသည်။

NMOS ကိရိယာ တစ် ခု အတွက် ၊ အပြုဂိတ် ဗွီတီ တစ် ခု သည် အောက်ဆိုဒ် ကြားခံ ဆီသို့ အီလက်ထရွန် များ ကို ဆွဲဆောင် သည် ။ ဂိတ် ဗွီတီ သည် အဆင့်အတန်း ဗွီတီ ( ဗွီတီအိတ်ခ်ျ ) ထက် ကျော်လွန် သောအခါ ၊ အရင်းအမြစ် နှင့် ရေနုတ် အကြား ဆက်သွယ် သော လမ်းကြောင်း တစ် ခု ဖြစ် ပေါ် လာ သည် ။ ဗွီဂျီအက်စ် တိုးမြှင့် ခြင်း သည် မြောင်း ကို ခိုင်မာ စေ ပြီး ရေစီးကြောင်း ( အိုင်ဒီအိုင် ) ကို တိုးမြှင့် သည် ။

၄.၁ ကုန်ခန်း မှု ပုံစံ လုပ်ဆောင် မှု

ကုန်ခန်း မှု ပုံစံ MOSFET တစ် ခု သည် ပုံမှန် အားဖြင့် ဖွင့် ထား သည် ။ သုည ဂိတ် ဗွီတီ နှင့်အတူ ၊ ဗွီဒီအက်စ် ကို အသုံးပြု သောအခါ လျှပ်စစ် ချာနယ် တစ် ခု တည်ရှိ ပြီး လက်ရှိ စီးဆင်း သည် ။ အပြုသဘော ဂိတ် ဘက်လိုက် မှု တစ် ခု သည် ချာနယ် ဆက်သွယ် မှု ကို တိုးမြှင့် နေ စဉ် ၊ အပျက် ဂိတ် ဘက်လိုက် မှု တစ် ခု သည် သယ်ဆောင် သူ များ ကို လျှော့ချ ပြီး ကိရိယာ ကို ဖြတ်တောက် မှု ဆီသို့ မောင်းနှင် နိုင် သည် ။ ၎င်း သည် ဂိတ် ဗွီတီ ကို အသုံးပြု ၍ ရေစီးကြောင်း ကို ချောမွေ့ စွာ ထိန်းချုပ် နိုင် သည် ။

၄.၂ တိုးတက် မှု ပုံစံ လုပ်ဆောင် မှု

တိုးမြှင့် မှု ပုံစံ MOSFET တစ် ခု သည် ပုံမှန် အားဖြင့် ပိတ် ထား သည် ။ VGS = ၀ နှင့်အတူ ၊ ချာနယ် မ ရှိ ပြီး ကိရိယာ သည် မ လုပ်ဆောင် ပါ ။ VGS သည် VTH ထက် ကျော်လွန်သောအခါ ချာနယ်တစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပြီး လက်ရှိစီးဆင်းသည်။

Figure 5. Characteristics of the Enhancement-Mode MOSFET

၎င်း ၏ လုပ်ဆောင် မှု ကို ဒေသ သုံး ခု ကို အသုံးပြု ၍ အများအားဖြင့် ဖော်ပြ ခဲ့ သည် ။

• ဖြတ်တောက် နယ်မြေ : အဆင့်အတန်း အောက် VGS ၊ MOSFET OFF

• အိုမစ် ( အလျင်အမြန် ) နယ်မြေ : ကိရိယာ သည် ဗိုလ်ခြေ ထိန်းချုပ် သော ခုခံ ကိရိယာ တစ် ခု ကဲ့သို့ ပြုမူ သည်

• ပြည့်ဝမှုနယ်မြေ: ရေစီးကြောင်းကို ဂိတ်ဗွီတီဖြင့် အဓိကထိန်းချုပ်ထားသည်

၅. အီလက်ထရွန်နစ် ခလုတ် တစ် ခု အဖြစ် MOSFET လုပ်ဆောင် မှု

Figure 6. MOSFET as an Electronic Switch

MOSFETs ကို ဝန်ထုပ်ထိန်းချုပ်ရေးအတွက် အီလက်ထရွန်နစ်ခလုတ်များအဖြစ် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုသည်။ ဂိတ် မှ ရင်းမြစ် ဗွီတီ သည် လိုအပ် သော အဆင့် သို့ ရောက် ရှိ သောအခါ ၊ MOSFET သည် ဖွင့် ပြီး ရေနုတ် နှင့် ရင်းမြစ် အကြား ပို့ဆောင် သည် ။ ဂိတ် ဗွီတာကို ဖယ်ရှားခြင်း သို့မဟုတ် ပြောင်းပြန်ပေးခြင်းက ကိရိယာကို ပိတ်လိုက်သည်။

လက်တွေ့ ဆော့ဖ် များ တွင် ၊ ထပ်ဆင့် အစိတ်အပိုင်း များ သည် ပြောင်းလဲ မှု ကို ယုံကြည် စိတ်ချ မှု ကို တိုးတက် စေ သည် ။ ဂိတ် ဆွဲ ခံနိုင်ရည် တစ် ခု သည် ထိန်းချုပ် အချက်ပြ မျော နေ သောအခါ မ ရည်ရွယ် ဘဲ ဖွင့် ခြင်း ကို တားဆီး သည် ။ ပီပီအမ် ထိန်းချုပ် မှု ကဲ့သို့ လျင်မြန် စွာ ပြောင်းလဲ သော အသုံးအနှုန်း များ တွင် ၊ ဂိတ် ခုခံ ကိရိယာ တစ် ခု သည် ဂိတ် ဓာတ်ငွေ့ ကို စီမံ ခန့်ခွဲ ရန် ကူညီ ပြီး မြည်သံ နှင့် အီးအမ်အိုင် ကို လျှော့ချ သည် ။

ဝန်ထုပ်အမျိုးအစားလည်း အရေးပါပါတယ်။ မော်တာ များ နှင့် လက်ဆင့်ကမ်း များ ကဲ့သို့ 充電 ဝန်ထုပ် များ သည် ပိတ် ထား သောအခါ မြင့်မား သော ဗိုလ်ခြေ မြင့် များ ကို ဖြစ် ပေါ် စေ နိုင် ပြီး ၊ ကွန်ပျူတာ ဝန်ထုပ် များ သည် ကြီးမား သော စီးဆင်း မှု များ ကို ဖြစ် ပေါ် စေ နိုင် သည် ။ MOSFET ပျက်စီး မှု ကို ကာကွယ် ရန် ကာကွယ် သော အစိတ်အပိုင်း များ လိုအပ် လေ့ ရှိ သည် ။

၆. MOSFETs အမျိုးအစား

Figure 7. Types of MOSFET

၆.၁ လည်ပတ် မှု ပုံစံ အားဖြင့်

• တိုးမြှင့် မှု ပုံစံ MOSFET (E-MOSFET) : သုည ဂိတ် ဗွီတီ တွင် လျှပ်စစ် ချာနယ် မ ရှိ ပါ ။ ချာနယ်တစ်ခုကို ဖန်တီးရန်နှင့် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ခွင့်ပြုရန် သင့်တော်သော VGS တခုကို အသုံးပြုရမည်။

• ကုန်ခန်း မှု ပုံစံ MOSFET (D-MOSFET) : လျှို့ဝှက် ချာနယ် တစ် ခု သည် သုည ဂိတ် ဗွီတီ တွင် တည်ရှိ သည် ။ ဆန့်ကျင်ဘက် ဂိတ် ဘက်လိုက် မှု တစ် ခု ကို အသုံးပြု ခြင်း သည် ချာနယ် ဆက်သွယ် မှု ကို လျှော့ချ ပြီး ကိရိယာ ကို ပိတ် နိုင် သည် ။

ချာနယ်အမျိုးအစားအလိုက်

• N-channel (NMOS): အီလက်ထရွန်များကို အများစုသယ်ဆောင်သူများအဖြစ် အသုံးပြုပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် အမြန်နှုန်းပိုမြင့်ပြီး ခံနိုင်ရည်လျော့နည်းစေသည်။

• ပီ-ချာနယ် ( ပီအမ်အိုအက်စ် ) : အများစု သယ်ဆောင် သူ များ အဖြစ် အပေါက် များ ကို အသုံးပြု ပြီး ပိုမို ရိုးရှင်း သော ဂိတ် မောင်းနှင် မှု အစီအစဉ် များ ကို ပိုမို နှစ်သက် သော နေရာ တွင် ရွေးချယ် လေ့ ရှိ သည် ။

၇. MOSFET ပက်ကေ့ချ်များ

Figure 8. MOSFET Packages

MOSFETs ကို စွမ်းအင် အဆင့် နှင့် အပူ လိုအပ်ချက် များ နှင့် ကိုက် ညီ ရန် မျိုးစုံ သော ပက်ကေ့ အမျိုးအစား များ ဖြင့် ရရှိ နိုင် ပါ သည် ။

• မျက်နှာပြင် တပ်ဆင် မှု : TO-263, TO-252, SO-8, SOT-23, SOT-223, TSOP-6

• အပေါက် ဖြတ် ခြင်း : TO-220, TO-247, TO-262

• ပီကွီအက်ဖ်အန် : ၂×၂ ၊ ၃×၃ ၊ ၅×၆

• DirectFET: M4, MA, MD, ME, S1, SH

၈. MOSFETs အသုံးအနှုန်းများ

• ချဲ့စက်များ– အထူးသဖြင့် အဝင်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် ဆူညံမှုနည်းသော အဆင့်များတွင် အသုံးပြုသည်။

• လျှပ်စစ် ဓာတ်အား ထောက်ပံ့ မှု များ : ဒီစီ - ဒီစီ ကွန်ပျူတာ များ နှင့် အက်စ်အမ်ပီအက်စ် ဆော့ဖ် များ တွင် အခြေခံ အစိတ်အပိုင်း များ ၊ စွမ်းအင် ဆုံးရှုံး မှု အနည်းဆုံး နှင့် ထိရောက် သော နှုန်း မြင့် ပြောင်းလဲ မှု ကို ထောက်ပံ့ ပေး သည် ။

• ဒစ်ဂျစ်တယ် ယုတ္တိဗေဒ– မိုက်ခရိုပရော်ဆာ၊ မိုက်ခရိုကိရိယာများနှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ် အိုင်စီများကို တည်ငြိမ်သောစွမ်းအင် ပျံ့နှံ့မှုနည်းနည်းဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော လုပ်ဆောင်မှုဖြစ်စေသည့် စီအမ်အိုအက်စ်ယုတ္တိ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ကို ဖွဲ့စည်းပါ။

• စွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှု– ဝန်ထုပ်ခလုတ်များ၊ ဗိုလ်ထိန်းကိရိယာများ၊ မော်တာမောင်းများနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားမြင့်များကို ထိရောက်စွာထိန်းချုပ်ရန် စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင် အသုံးပြုသည်။

• မှတ်ဉာဏ် ကိရိယာ များ : အမ်အိုအက်စ် အခြေပြု ဖွဲ့စည်းပုံ များ က သိပ်သည်းဆ မြင့်မား သော အချက်အလက် သိုလှောင် မှု နှင့် လျင်မြန် သော ဖတ် / ရေး လုပ်ဆောင် မှု များ ကို ပြုလုပ် နိုင် သော ၊ အာရမ် နှင့် ဖလက်ရှ် မှတ်ဉာဏ် နည်းပညာ များ တွင် အသုံးပြု သည် ။

၉. MOSFETs ၏ အကျိုးကျေးဇူးများနှင့် အားနည်းချက်များ

၉.၁ အကျိုးကျေးဇူးများ

• မြင့်မား သော ပြောင်းလဲ မှု အမြန်နှုန်း : နှုန်း မြင့် နှင့် လျင်မြန် သော ဒစ်ဂျစ်တယ် ပြောင်းလဲ မှု အသုံးအနှုန်း များ တွင် ထိရောက် သော လုပ်ဆောင် မှု ကို ပြုလုပ် နိုင် သည် ။

• စွမ်းအင် သုံးစွဲ မှု နည်းပါး ခြင်း : ဂိတ် ရေစီးကြောင်း အနည်းငယ် လိုအပ် ပြီး ၊ MOSFET များ ကို စွမ်းအင် အသုံးချ မှု နှင့် ဘက်ထရီ စွမ်းအင် သုံး ဆော့ဖ် များ အတွက် အကောင်း ဆုံး ဖြစ် စေ သည် ။

• အလွန် မြင့်မား သော အဝင် အနှောင့်အယှက် : ရှေ့ အဆင့် များ တွင် ဝန်ဆောင် မှု အကျိုး သက်ရောက် မှု ကို လျော့နည်း စေ ပြီး ဒရိုက်ဗ် ဆော့ဖ် ကို ရိုး ရှင်း စေ သည် ။

• ဆူညံမှုနည်းသော စွမ်းဆောင်နိုင်စွမ်း: အချက်ပြတည်မြဲမှုမရှိမဖြစ်လိုအပ်သည့် အချက်ပြနည်းနှင့် အယ်လက္ခဏာတိုးချဲ့ရေးအတွက် သင့်လျော်သည်။

၉.၂ အားနည်းချက်များ

• ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်အာရုံခံနိုင်စွမ်း– ပါးပါးသောအောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် လျှပ်စစ်ဓာတ်ထုတ်လွှတ်မှု (ESD) နှင့် ဂိတ်ဗိုလ်အလွန်အကျွံခံနိုင်စွမ်းရှိပြီး ဂရုတစိုက်ကိုင်တွယ်ကာ ကာကွယ်ဖို့လိုသည်။

• အပူချိန် မှီခို မှု : အဆင့်အတန်း ဗွီတီ နှင့် ခုခံ မှု ကဲ့သို့ လျှပ်စစ် ကိရိယာ များ သည် အပူချိန် နှင့်အတူ ပြောင်းလဲ ပြီး ၊ လုပ်ဆောင် မှု တည်ငြိမ် မှု ကို အကျိုး သက်ရောက် သည် ။

• ဗိုလ်ကန့်သတ်ချက်များ– တချို့ MOSFETs တွင် အမြင့်ဆုံး ဗိုလ်နှုန်း အတော်အတန် နိမ့်ကျပြီး ဗိုလ်မြင့် အသုံးပြုမှုများတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးပြုမှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။

• ပိုမို မြင့်မား သော ထုတ်လုပ် မှု ကုန်ကျ စရိတ် : အဆင့်မြင့် ထုတ်လုပ် မှု လုပ်ငန်းစဉ် များ သည် ပိုမို ရိုးရှင်း သော ထရန်စီစတာ နည်းပညာ များ နှင့် နှိုင်းယှဉ် လျှင် ကိရိယာ ကုန်ကျ စရိတ် ကို တိုးမြှင့် နိုင် သည် ။

၁၀. နိဂုံး

MOSFETs ကို စွမ်းအင်နည်းသော အချက်ပြလုပ်ငန်းမှ ထိရောက်မှုမြင့်မားသော စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းအထိ ခေတ်သစ် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတို့၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ လုပ်ဆောင်မှုမူများ၊ ပြောင်းလဲသည့်အပြုအမူနှင့် ကန့်သတ်ချက်များကို နားလည်ထားခြင်းက ကိရိယာရွေးချယ်မှုနှင့် ဆားကွေ့ဒီဇိုင်းကို ပို၍ထိရောက်စေသည်။ ၎င်းတို့၏ ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်စွမ်း၊ အမြန်နှုန်းနှင့် ထိရောက်မှုတို့က MOSFETs သည် လက်ရှိနှင့် အနာဂတ် နည်းပညာများတွင် အသုံးဝင်သော အစိတ်အပိုင်းများ ဖြစ်နေကြောင်း သေချာစေသည်။

၁၁. မေးတတ်သောမေးခွန်းများ [FAQ]

၁၁.၁ ကျွန်ုပ်၏ဆားကွေ့အတွက် သင့်တော်သော MOSFET ကို မည်သို့ရွေးချယ်နိုင်မည်နည်း။

ရေနုတ် - ရင်းမြစ် ဗွီတီ အဆင့် ( ဗွီဒီအက်စ် ) ၊ ဆက်တိုက် စီးဆင်း လက်ရှိ ( အိုင်ဒီအက်စ် ) ၊ ခံနိုင်ရည် ( အာဒီအက်စ် ( အွန် ) ) ၊ ဂိတ် အဆင့် ဗွီတီ ( ဗွီတီအိတ်ခ်ျ ) ၊ နှင့် ပက်ကေ့ခ်ျ အပူ ကန့်သတ် ချက် များ ကဲ့သို့ အဓိက အချက်အလက် များ အပေါ် အခြေခံ ၍ အမ်အိုအက်စ်အက်ဖ်တီ တစ် ခု ကို ရွေးချယ် ပါ ။ ဤအဆင့်များကို သင့်ဝန်ထုပ်၊ ထောက်ပံ့မှုဗွီတာနှင့် ပြောင်းလဲနှုန်းလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီခြင်းက ဘေးကင်းပြီး ထိရောက်သောလည်ပတ်မှုကို သေချာစေသည်။

၁၁.၂ RDS(on) ဆိုတာ ဘာလဲ၊ MOSFETs မှာ ဘာကြောင့် အရေးကြီးတာလဲ။

RDS(on) သည် MOSFET အပြည့်အဝ ဖွင့်ထားသည့်အခါ အရင်းအမြစ်သို့ စီးဆင်းခြင်းမှ ခံနိုင်ရည်ဖြစ်သည်။ နိမ့်ကျ သော အာဒီအက်စ် ( အွန် ) သည် လျှို့ဝှက် မှု ဆုံးရှုံး မှု ၊ အပူ ထုတ်လုပ် မှု ၊ နှင့် စွမ်းအင် ပျံ့နှံ့ မှု ကို လျော့နည်း စေ ပြီး ၊ ၎င်း သည် အထူးသဖြင့် လျှပ်စစ် ဓာတ်အား ပြောင်းလဲ ခြင်း နှင့် လျှပ်စစ် ဓာတ်အား မြင့်မား သော အသုံးပြု မှု များ တွင် အရေးကြီး သည် ။

၁၁.၃ MOSFET တစ်လုံးသည် အပြည့်အဝဖွင့်ထားလျှင်ပင် အဘယ်ကြောင့် ပူလာသနည်း။

MOSFET အပူပေးမှုသည် ဆက်သွယ်မှု ဆုံးၡုံးမှု (RDS(on)မှ I²R ဆုံးၡုံးမှု) ၊ ဖွင့်ခြင်းနှင့် ပိတ်ချိန်အတွင်း ပြောင်းလဲမှု ဆုံးၡုံးမှုများနှင့် အပူပျံ့နှံ့မှု မလုံလောက်ခြင်းတို့ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်သည်။ ညံ့ဖျင်းသော PCB နေရာချထားခြင်း၊ လုံလောက်သောအပူနစ်ခြင်း သို့မဟုတ် အလွန်အကျွံပြောင်းနှုန်းများက ကိရိယာအပူချိန်ကို သိသိသာသာ မြင့်တက်စေနိုင်သည်။

၁၁.၄ MOSFET ကို မိုက်ခရိုကိရိယာဖြင့် တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်နိုင်မည်လော။

ဟုတ်ပါတယ်၊ ဒါပေမဲ့ MOSFET ဟာ ယုတ္တိအဆင့် ကိရိယာဖြစ်မှသာ။ ယုတ္တိ အဆင့် MOSFETs ကို နိမ့် သော ဂိတ် ဗွီတီ ( အများအားဖြင့် ၃.၃ ဗွီ သို့မဟုတ် ၅ ဗွီ ) တွင် အပြည့်အဝ ဖွင့် ရန် ဒီဇိုင်း ထုတ်လုပ် ခဲ့ သည် ။ စံနှုန်း MOSFETs သည် ပိုမို မြင့်မား သော ဂိတ် ဗွီတီ များ လိုအပ် နိုင် ပြီး တိုက်ရိုက် မောင်းနှင် သောအခါ ထိရောက် စွာ ပြောင်းလဲ နိုင် မည် မ ဟုတ် ပါ ။

၁၁.၅ တကယ့်ဆားကွေ့များတွင် MOSFET ချို့ယွင်းခြင်းကို အဘယ်အရာက ဖြစ်စေသနည်း။

အများအားဖြင့် ဂိတ် ဗိုလ်ချုပ် အလွန်အကျွံ ၊ အက်စ်ဒီ ပျက်စီး ခြင်း ၊ အပူ လွန်ကဲ ခြင်း ၊ 充電 ဝန်ထုပ် များ မှ ဗွီတီ မြင့်တက် ခြင်း ၊ နှင့် သတ်မှတ် ထား သော ကန့်သတ် ချက် များ ထက် ကျော်လွန် လုပ်ဆောင် ခြင်း တို့ ပါဝင် သည် ။ သင့်လျော် သော ဂိတ် ကာကွယ် မှု ၊ ပျံသန်း သော ဒိုင်အိုး များ ၊ လျှို့ဝှက် ဆော့ဖ် ဆော့ဖ် များ ၊ နှင့် အပူ စီမံ ခန့်ခွဲ မှု များ သည် MOSFET ယုံကြည် စိတ်ချ မှု ကို အကြီးအကျယ် တိုးတက် စေ သည် ။