FinFET ဖွဲ့စည်းပုံ နှင့် အလုပ် မူဝါဒ - ရိုး ရှင်း သော လမ်းညွှန် တစ် ခု

သုံးဖက်မြင် ဆူးတောင်ပုံသဏ္ဌာန်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် FinFET နည်းပညာသည် အစဉ်အလာ ပျံဝဲ MOSFETs ၏ ယိုစိမ့်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်နိုင်စွမ်း ကန့်သတ်ချက်များကို ကျော်လွှားနိုင်ပါသည်။ မြင့်မားသော လျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှု၊ မြင့်မားသော တိုးချဲ့နိုင်စွမ်းနှင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုတို့ဖြင့် FinFETs သည် ယနေ့ အဆင့်မြင့် ပရိုဆာဆာများ၊ မိုဘိုင်းလ်ကိရိယာများနှင့် စွမ်းရည်မြင့် ကွန်ပျူတာစနစ်များ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်လာသည်။

ဂ ၁ ။ FinFET ခြုံငုံသုံးသပ်

ဂ ၂ ။ FinFET ၏ ဖွဲ့စည်းပုံ

ဂ ၃ ။ FinFET ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

ဂ၄။ ကွန်ပျူတာ FinFET ထရန်စီစတာ အကျယ် နှင့် Multi-Fin Quantization

ဂ ၅ ။ FinFET ၏ လျှပ်စစ် လက္ခဏာ များ

ဂ ၆ ။ FinFET နှင့် MOSFET ကွာခြားချက်

ဂ ၇ ။ FinFETs အမျိုးအစား

ဂ၈။ FinFET ဒီဇိုင်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားချက်များ

ဂ၉။ FinFET ၏ အကျိုးကျေးဇူး များ နှင့် အားနည်းချက် များ

ဂ ၁၀ ။ FinFET ၏ အသုံးအနှုန်းများ

ဂ ၁၁ ။ FinFET ၏ အနာဂတ်

ဂ၁၂။ နိဂုံး

ဂ၁၃။ မေးတတ်သောမေးခွန်းများ [FAQ]

၁. FinFET ခြုံငုံသုံးသပ်

FinFET (Fin Field-Effect Transistor) သည် ခေတ်သစ် ပေါင်းစပ် ဆော့ဖ် များ အတွက် ပုံစံပြု ထား သော သုံးဖက်မြင် သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင် မ ဟုတ် သော ထရန်စီစတာ တစ် ခု ဖြစ် သည် ။ ၎င်း တွင် လက်ရှိ စီးဆင်း မှု အတွက် အဓိက လမ်းကြောင်း အဖြစ် လုပ်ဆောင် သော ပါးပါး သော ၊ ဆူးတောင်ပုံသဏ္ဌာန် ဆီလီကွန် ကိုယ်ခန္ဓာ တစ် ခု ရှိ သည် ။ ဂိတ် သည် ဆူးတောင် ကို ပတ်ပတ် ထား ပြီး ၊ ရေစီးကြောင်း ကို ပိုမို ကောင်းမွန် စွာ ထိန်းချုပ် နိုင် ပြီး ရိုးရာ အလွန့် အမ်အက်စ်ဖက်တီ နှင့် နှိုင်းယှဉ် လျှင် ယိုစိမ့် မှု ကို သိသိသာသာ လျှော့ချ သည် ။ အလုပ် အရ ၊ FinFET တစ် ခု သည် အဆင့်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာ များ တွင် မြင့်မား သော စွမ်းရည် နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် ကို သေချာ စေရန် ရင်းမြစ် နှင့် ရေနုတ် ကိရိယာ များ အကြား စီးဆင်း မှု ကို စီမံ ခန့်ခွဲ ခြင်း ၊ ခလုတ် တစ် ခု နှင့် ချဲ့စက် တစ် ခု နှစ် ခု စလုံး အဖြစ် အလုပ် လုပ် သည် ။

၂. FinFET ၏ ဖွဲ့စည်းပုံ

FinFET တွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်း လေး ခု ဖြင့် ပြုလုပ် ထား သော ထူးခြား သော 3D ဖွဲ့စည်းပုံ တစ် ခု ရှိ သည် ။

• ဆူးတောင်– အဓိက ဆက်သွယ်ရေးလမ်းကြောင်းကို ဖွဲ့စည်းထားသည့် ဒေါင်လိုက်စီလီကွန်တောင်တန်း။ ၎င်း ၏ အမြင့် နှင့် အထူ သည် လက်ရှိ စွမ်းရည် ကို သတ်မှတ် သည် ။ ဆူးတောင်အများအပြားကို မောင်းအားမြှင့်တင်ရန် အပြိုင်ထားနိုင်သည်။

• ဂိတ်– ဆူးတောင်ကို သုံးဘက် (ထိပ် + ဘေးနံရံနှစ်ခု) ပတ်ထားသည့် သတ္တုလျှပ်စစ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး မြောင်းကို သာလွန်ကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်ပေးသည်။

• အရင်းအမြစ်နှင့် ရေစီးကြောင်း– ရေစီးကြောင်းဝင်ထွက်သည့် ဆူးတောင်၏အစွန်းနှစ်ဖက်စလုံးတွင် အလွန်အကျွံထည့်ထားသော ဒေသများဖြစ်သည်။ သူ တို့ ၏ ဒီဇိုင်း သည် ပြောင်းလဲ ခြင်း ခံနိုင်ရည် နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် ကို အကျိုး သက်ရောက် သည် ။

• အောက်ခြေ (ကိုယ်ခန္ဓာ) – ဆူးတောင်များကို ထောက်ပံ့ပေးသော အခြေခံ ဆီလီကွန်အလွှာ၊ စက်မှုဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူပျံ့နှံ့မှုကို ထောက်ကူပေးသည်။

ဤ ပတ်ပတ်လည် ဂိတ် ဂြိုဟ်တု သည် ဖင်ဖက်တီ များ ကို သူ တို့ ၏ ထူးခြား သော ထိရောက် မှု နှင့် ယိုစိမ့် မှု နည်းပါး မှု ကို ပေး ပြီး ၊ ယနေ့ ခေတ် ၏ အဆင့်မြင့် အဆင့်မြင့် ဆက်သွယ်ရေး နော့ဖ် များ ( ၇ နမ် ၊ ၅ နမ် ၊ နှင့် ၃ နမ် နည်းပညာ ) အတွက် အခြေခံ အုတ်မြစ် ကို ဖွဲ့စည်း ထား သည် ။

၃. FinFET ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

FinFETs ကို ဒေါင်လိုက်တောင်နှင့် သုံးဂိတ် တည်ဆောက်ပုံများအတွက် ထပ်ဆင့်အဆင့်များနှင့်အတူ အဆင့်မြင့် CMOS နည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ တည်ဆောက်ထားသည်။

ရိုးရှင်းသောလုပ်ငန်းစဉ်–

• ဆူးတောင်ဖွဲ့စည်းပုံ– ပုံစံပါသော ဆီလီကွန်တောင်များကို ထွင်းထားသည်။ ၎င်းတို့၏ အမြင့် (H) နှင့် အကျယ် (T) က မောင်းနှင်မှုလက်ရှိကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။

• ဂိတ် အဆင့် ဖွဲ့စည်း မှု : မြင့်မား သော κ ဒိုင်အီလက်ထရွန်နစ် ( ဥပမာ ၊ အိတ်ခ်ျအက်ဖ်အို ₂ ) နှင့် သတ္တု ဂိတ် ( ဥပမာ ၊ တီအန် ၊ ဒဗလျူ ) ကို ဆူးတောင် ကို ပတ် ရန် ထည့်သွင်း ထား သည် ။

• Spacer Formation: Dielectric spacers သည် ဂိတ်ကို သီးခြားခွဲထုတ်ပြီး အရင်းအမြစ်/ရေစီးဆင်းနယ်မြေများကို သတ်မှတ်ပေးသည်။

• အရင်းအမြစ်-ရေနွေးမြှုပ်ခြင်း– အပူဓာတ်အနွေးပေးခြင်းမှတစ်ဆင့် ဖြည့်စွက်ပေးသည်။

• ဆီလီစီ နှင့် အဆက်အသွယ် များ : နီကယ်လ် ကဲ့သို့ သတ္တု များ သည် ခုခံ အားနည်း သော အဆက်အသွယ် များ ကို ဖွဲ့စည်း ထား သည် ။

• သတ္တု ပြုပြင် ခြင်း : အဆင့် များ စွာ သော သတ္တု အပြန်အလှန် ဆက်သွယ် မှု ( Cu သို့မဟုတ် Al ) သည် ၊ ၅ နမ် အောက် နော့ များ အတွက် အီးယူဗွီ လစ်သရိုဂရမ် ကို အသုံးပြု လေ့ ရှိ သည် ။

• အကျိုးကျေးဇူး : FinFET ထုတ်လုပ် ခြင်း သည် တင်းကျပ် သော ဂိတ် ထိန်းချုပ် မှု ၊ ယိုစိမ့် မှု နည်းပါး ခြင်း ၊ နှင့် ပလန့်တန်း ထရန်စီစတာ ကန့်သတ် ချက် များ ထက် ကျော်လွန် သော စကေး ကို ရရှိ စေ သည် ။

၄. FinFET ထရန်စီစတာ အကျယ် နှင့် Multi-Fin Quantization ကို ကွန်ပျူတာ

FinFET ၏ ထိရောက် သော အကျယ် ( W ) သည် ၎င်း ၏ လုပ်ဆောင် မှု နှင့် စွမ်းအင် ထိရောက် မှု ကို တိုက်ရိုက် အကျိုး သက်ရောက် သော ၊ ၎င်း ၏ လျှပ်စစ် ပမာဏ ကို ဆုံးဖြတ် သည် ။ အကျယ် သည် ရုပ်ပိုင်း ချာနယ် အတိုင်းအတာ နှင့် ညီမျှ သော ၊ မျက်နှာပြင် MOSFETs နှင့် မ တူ ဘဲ ၊ FinFET ၏ 3D သမုဒ္ဒရာ သည် ဆူးတောင် ပတ်ပတ်လည် ရှိ လျှပ်စစ် မျက်နှာပြင် အားလုံး အတွက် စာရင်း သွင်း ရန် လိုအပ် သည် ။

နေရာ -

• H = ဆူးတောင်အမြင့်

• T = ဆူးတောင်အထူ

• L = ဂိတ်အရှည်

W/L အချိုးကို ညှိခြင်းဖြင့် FinFET အပြုအမူကို အကောင်းဆုံးဖြစ်စေနိုင်ပါသည်။

• ဒဗလျူ တိုးမြှင့် ခြင်း → ပိုမို မောင်းနှင် မှု နှင့် ပိုမြန် သော ပြောင်းလဲ မှု ( သို့သော် ပိုမို မြင့်မား သော စွမ်းအင် နှင့် ဧရိယာ ) ။

• W → ယိုစိမ့်မှုနှင့် ခြေရာကို လျော့နည်းစေသည်။

၄.၁ အများအပြား ရေတွက်ခြင်း

FinFET တစ် ခု တွင် ဆူးတောင် တစ် ခု စီ သည် သီးခြား လမ်းကြောင်း တစ် ခု အဖြစ် လုပ်ဆောင် ပြီး ၊ ပုံမှန် ဒရိုက် လက်ရှိ ပမာဏ တစ် ခု ကို ထောက်ပံ့ ပေး သည် ။ ပိုမို မြင့်မား သော ထုတ်လုပ် မှု စွမ်းအား ကို ရရှိ ရန် ၊ ဆူးတောင် အများအပြား ကို အပြိုင် ဆက်သွယ် ထား သည် ။

စုစုပေါင်း ထိရောက်သော အကျယ်မှာ -

Wtotal=N×Wfin

N က ဆူးတောင်အရေအတွက်ပါ။

၎င်း သည် ဖင်ဖက်တီ အကျယ် ကို ပမာဏ သတ်မှတ် ထား သည် ၊ မျက်နှာပြင် MOSFET ကဲ့သို့ ဆက်တိုက် မ ဟုတ် ပါ ။ ဒီဇိုင်းရေးဆွဲသူများသည် စိတ်လိုကိုယ်လျောက် အကျယ်ကို မရွေးချယ်နိုင်သော်လည်း ဆူးတောင်များ၏ ကိန်းဂဏန်းအများအပြား (၁-တောင်၊ ၂-တောင်၊ ၃-တောင်၊ စသည်) ကိုရွေးချယ်ရမည်။

ဤ အရေအတွက် သတ်မှတ် ခြင်း သည် ဆားကွေး ဒီဇိုင်း ပြောင်းသာလဲ မှု ၊ လက်ရှိ စကေး ၊ နှင့် နေရာချ မှု ထိရောက် မှု ကို တိုက်ရိုက် အကျိုး သက်ရောက် သည် ။ ( ဒီဇိုင်း စည်းမျဉ်း များ ၊ ဆူးတောင် အမြင့် ၊ နှင့် ပုံစံ ထား ခြင်း သက်ရောက် မှု များ အတွက် ၊ အပိုင်း ၉ : FinFET ဒီဇိုင်း ထည့်သွင်း စဉ်းစား ချက် များ ကို ရှု ။ )

၅. FinFET ၏ လျှပ်စစ် လက္ခဏာ များ

၆. FinFET နှင့် MOSFET ကွာခြားချက်

ဖင်အက်ဖ်တီ များ သည် ထရန်စီစတာ အရွယ်အစား များ နာနိုမီတာ အတိုင်းအတာ သို့ ဝင်ရောက် ခဲ့ သောကြောင့် စွမ်းဆောင်ရည် နှင့် ယိုစိမ့် မှု ပြဿနာ များ ကို ကျော်လွှား ရန် အမ်အက်စ်အက်ဖ်တီ မှ ပြောင်းလဲ လာ ခဲ့ သည် ။ အောက်ပါဇယားက ၎င်းတို့၏ အဓိကခြားနားချက်များကို အကျဉ်းချုပ်ထားသည်–

၇. FinFETs အမျိုးအစား

FinFETs ကို ဂိတ် ဖွဲ့စည်းပုံ နှင့် အောက်ခြေ အမျိုးအစား အပေါ် အခြေခံ ၍ အဓိက နည်းလမ်း နှစ် ခု ဖြင့် အမျိုးအစား ခွဲခြား ထား သည် ။

၇.၁ ဂိတ် ဖွဲ့စည်းပုံ အပေါ် အခြေခံ

• တိုတို ဂိတ် ( အက်စ်ဂျီ ) ဖင်ဖက်တီ : ဤ အမျိုးအစား တွင် ၊ အရှေ့ နှင့် နောက်ဘက် ဂိတ် များ ကို ဂိတ် တစ် ခု အဖြစ် လုပ်ဆောင် ရန် လျှပ်စစ် ဖြင့် ဆက်သွယ် ထား သည် ။ ဤ အစီအစဉ် သည် ဒီဇိုင်း ကို ရိုးရိုး ရှင်းရှင်း စေ ပြီး ချာနယ် အပေါ် ညီညွတ် သော ထိန်းချုပ် မှု ကို ထောက်ပံ့ ပေး သည် ။ ၎င်း သည် ဂိတ် ၊ ရင်းမြစ် ၊ နှင့် ရေနုတ် သုံး ခု ရှိ သော ရိုးရိုး ထရန်စီစတာ တစ် ခု နှင့် ဆင်တူ စွာ ပြုမူ သည် ။ အက်စ်ဂျီ ဖင်ဖက်တီ သည် အကောင်အထည်ဖော် ရန် လွယ်ကူ ပြီး ရှုပ်ထွေး သော ဒီဇိုင်း မ ရှိ ဘဲ ခိုင်မာ သော ချာနယ် ထိန်းချုပ် မှု လိုအပ် သော စံနှုန်း အသုံးပြု မှု များ အတွက် အကောင်း ဆုံး ဖြစ် သည် ။

• လွတ်လပ် သော ဂိတ် ( အိုင်ဂျီ ) ဖင်ဖက်တီ : ဤ နေရာ တွင် ၊ အရှေ့ နှင့် နောက်ဘက် ဂိတ် များ ကို သီးခြား မောင်းနှင် ခဲ့ ပြီး ၊ ဒီဇိုင်းနာ များ ကို အဆင့်အတန်း ဗွီတီ ကို အသေးစိတ် ညှိနှိုင်း ရန် စွမ်းရည် နှင့် စွမ်းအင် သုံးစွဲ မှု နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် အကြား ပြောင်းလဲ မှု များ ကို စီမံ ခန့်ခွဲ ရန် စွမ်းရည် ပေး သည် ။ အိုင်ဂျီ ဖင်ဖက်တီ များ သည် စွမ်းအင် နည်းပါး သော သို့မဟုတ် အလိုက်သင့် ပြောင်းလဲ နိုင် သော ဆော့ဖ် များ အတွက် ပိုမို ပျော့ပျောင်း မှု ကို ကမ်းလှမ်း သော ၊ လေး-ဂိုဏ်း ကိရိယာ များ အဖြစ် လုပ်ဆောင် သည် ။ ဂိတ် တစ် ခု သည် အဓိက စီးဆင်း မှု ကို ထိန်းချုပ် နိုင် ပြီး ၊ အခြား ဂိတ် တစ် ခု သည် ယိုစိမ့် မှု ကို လျော့နည်း စေ ရန် သို့မဟုတ် ပြောင်းလဲ မှု အမြန်နှုန်း ကို ညှိနှိုင်း ရန် လမ်းကြောင်း ကို ဘက်လိုက် စေ နိုင် သည် ။

၇.၂ အောက်ခြေ အပေါ် အခြေခံ

• အများအပြား FinFET: ဤအမျိုးအစားကို စံနှုန်း ဆီလီကွန်အောက်ခြေပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်ပြုလုပ်သည်။ ထုတ်လုပ်ရန် ပိုလွယ်ကူပြီး ဈေးသက်သာသောကြောင့် အကြီးအကျယ်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် သင့်လျော်သည်။ သို့သော်လည်း ၊ ၎င်း သည် မြောင်း အောက် တွင် အကာအကွယ် အလွှာ တစ် ခု မ ရှိ သောကြောင့် ၊ အများအပြား ဖင်ဖက်တီ များ သည် များသောအားဖြင့် စွမ်းအင် ပိုမို သုံးစွဲ ပြီး အခြား အမျိုးအစား များ နှင့် နှိုင်းယှဉ် လျှင် ပိုမို ယိုစိမ့် မှု ရှိ နိုင် သည် ။ ၎င်း သည် ရှိ နေ သော်လည်း ၊ လက်ရှိ စီအမ်အိုအက်စ် လုပ်ငန်းစဉ် များ နှင့် ၎င်း တို့ ၏ ကိုက်ညီ မှု သည် အဓိက ဆက်သွယ်ရေး ထုတ်လုပ် မှု အတွက် သူ တို့ ကို ဆွဲဆောင် မှု ဖြစ် စေ သည် ။

• SOI FinFET (Silicon-on-Insulator): SOI FinFETs ကို မြေမြှုပ်ထားသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာဖြင့် အောက်ခြေမှ ခွဲခြားထားသော ဆီလီကွန် ပါးလွှာ ပါဝင်သော အထူးဝေဖာပေါ်တွင် တည်ဆောက်ထားသည်။ ဤ အဆောက်အအုံ အလွှာ သည် အလွန် ကောင်းမွန် သော လျှပ်စစ် သီးခြား မှု ကို ထောက်ပံ့ ပေး ပြီး ယိုစိမ့် သော ရေစီးကြောင်း များ ကို လျော့နည်း စေ ပြီး ၊ စွမ်းအင် သုံးစွဲ မှု လျော့နည်း စေ ပြီး ကိရိယာ လုပ်ဆောင် မှု တိုးတက် စေ သည် ။ အက်စ်အိုအိုင် ဖင်ဖက်တီ သည် ထုတ်လုပ် ရန် ပိုမို ဈေးကြီး သော်လည်း ၊ သူ တို့ သည် မြင့်မား သော လျှပ်စစ် ထိန်းချုပ် မှု ကို ပေး ပြီး အဆင့်မြင့် ပရိုဆာဆာ များ နှင့် ဆက်သွယ်ရေး ချစ်ပ် များ ကဲ့သို့ အမြန်နှုန်း မြင့် ၊ စွမ်းအင် ထိရောက် သော အသုံးအနှုန်း များ အတွက် အကောင်း ဆုံး ဖြစ် သည် ။

၈. FinFET ဒီဇိုင်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားချက်များ

FinFET အခြေပြု ဆော့ဖ် များ ကို ဒီဇိုင်းဆွဲ ခြင်း သည် ၎င်း တို့ ၏ သုံးဖက်မြင် သမုဒ္ဒရာ ၊ ကိန်းဂဏန်း ထား သော လက်ရှိ အပြုအမူ ၊ နှင့် အပူ လက္ခဏာ များ ကို အာရုံစိုက် ရန် လိုအပ် သည် ။

၈.၁ တောင်ပေါင်းစုံ ဗိသုကာနှင့် လက်ရှိ အရေအတွက်သတ်မှတ်ခြင်း

FinFETs သည် ဆူးတောင်အများအပြားကို အပြိုင်ဆက်သွယ်ခြင်းဖြင့် မြင့်မားသော မောင်းနှင်နိုင်စွမ်းကို ရရှိစေသည်။ ဆူးတောင်တစ်ခုစီသည် ပုံမှန်ဆက်သွယ်မှုလမ်းကြောင်းတစ်ခုကို ထောက်ပံ့ပေးပြီး အဆင့်ဆင့် (ကိန်းဂဏန်းသတ်မှတ်ထားသော) လက်ရှိတိုးမြှင့်မှုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

ယင်းကြောင့် ထရန်စတာအကျယ်သည် သီးခြားတောင်ယူနစ်များတွင်သာ တိုးလာနိုင်ပြီး စွမ်းဆောင်နိုင်စွမ်းနှင့် စီလီကွန်ဧရိယာနှစ်ခုစလုံးကို အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။ စွမ်းအင်၊ အချိန်နှင့် နေရာချထားသော ကန့်သတ်ချက်များနှင့်အတူ တောင်တောင်အရေအတွက် (N) ကို ဟန်ချက်ညီစေရမည်။ အများအပြား ပမာဏ သတ်မှတ် ခြင်း သည် ဒစ်ဂျစ်တယ် ယုတ္တိ အတွက် အလွန် ကောင်းမွန် သော ချဲ့ထွင် မှု ကို ထောက်ပံ့ ပေး သော်လည်း ၊ အဆက်မပြတ် အကျယ် ညှိနှိုင်း မှု လိုအပ် သော ၊ အယ်လက္ခဏာ အသုံးအနှုန်း များ တွင် အသေးစိတ် ညှိနှိုင်း ထား သော ထိန်းချုပ် မှု ကို ကန့်သတ် ထား သည် ။

၈.၂ အဆင့်အတန်း ဗွီတီ (Vth) ချိန်ညှိခြင်း

FinFET အဆင့်အတန်း ဗွီတာကို မတူညီသော သတ္တုဂိတ် အလုပ် လုပ်ဆောင်မှုများ သို့မဟုတ် ချာနယ် doping မှတ်တမ်းများကို အသုံးပြု၍ ညှိနိုင်ပါသည်။

• အနိမ့် ဗွီ ကိရိယာ များ သည် စွမ်းဆောင်ရည် → သော လမ်းကြောင်း များ အတွက် ပိုမြန် သော ပြောင်းလဲ မှု များ ဖြစ် သည် ။

• အဆင့်မြင့် ဗွီတီ ကိရိယာ များ → စွမ်းအင် အာရုံခံ သော ဒေသ များ အတွက် ယိုစိမ့် မှု လျော့နည်း စေ သည် ။

ဤ ပြောင်းသာလဲ မှု သည် ချစ်ပ် တစ် ခု အတွင်း ရောနှော သော စွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန် မှု ကို ခွင့်ပြု သည် ။

၈.၃ နေရာချထားမှုနှင့် ကျောက်ပုံရိုက်ခြင်း စည်းမျဉ်းများ

3D သမုဒ္ဒရာ ကြောင့် ၊ ဆူးတောင် အမြင့် ( ဆူးတောင် များ အကြား အကွာအဝေး ) နှင့် ဂိတ် အမြင့် ကို လုပ်ငန်းစဉ် ဒီဇိုင်း ကိရိယာ ( ပီဒီကေ ) က တင်းကျပ် စွာ သတ်မှတ် ထား သည် ။ EUV (Extreme Ultra Violet) သို့မဟုတ် SADP (Self-Aligned Double Patterning) ကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့် ကျောက်ပုံရိုက်ခြင်းသည် နာနိုစကေး တိကျမှန်ကန်မှုကို သေချာစေသည်။

ဤ ပုံစံ စည်းမျဉ်း များ ကို လိုက်နာ ခြင်း သည် ကပ်ပါး များ ကို လျော့နည်း စေ ပြီး ဝေဖာ တစ်လျှောက် တစ်သမတ်တည်း လုပ်ဆောင် မှု ကို အာမခံ သည် ။

၈.၄ ဒစ်ဂျစ်တယ် နှင့် အယ်လက္ခဏာ ဆားကွေး ဒီဇိုင်း

• ဒစ်ဂျစ်တယ် ဆားကွေး များ : FinFET များ သည် အမြန်နှုန်း မြင့် ခြင်း ၊ ယိုစိမ့် မှု နည်းပါး ခြင်း ၊ နှင့် ယုတ္တိ ဆဲလ် ဒီဇိုင်း နှင့်အတူ အကျယ် ညှိနှိုင်း ခြင်း တို့ ကြောင့် ဤ နေရာ တွင် ထူးချွန် သည် ။

• အနုပညာ ဆားကွေး များ : အသေးစိတ် အကျယ် ထိန်းချုပ် မှု ကို ရရှိ ရန် ပိုမို ခက်ခဲ သည် ။ ဒီဇိုင်းနာများသည် ဆူးတောင်အများအပြား အဆင့်ဆင့်ထားခြင်း၊ ဂိတ်အလုပ်လုပ်ဆောင်မှုညှိခြင်း သို့မဟုတ် ကိုယ်ခန္ဓာဘက်လိုက်ခြင်းနည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ လျော်ကြေးပေးသည်။

၈.၆ အပူ စီမံ ခန့်ခွဲ မှု

FinFETs ၏ ကျစ်လျစ်သော 3D ပုံစံသည် ဆူးတောင်များအတွင်း အပူကို ပိတ်ထားနိုင်ပြီး အလိုအလျောက် အပူပေးနိုင်ပါသည်။ တည်ငြိမ်မှုနှင့် သက်တမ်းရှည်ကို သေချာစေရန် ဒီဇိုင်းနာများက အကောင်အထည်ဖော်ကြသည်–

• ပိုမို ကောင်းမွန် သော အပူ ပို့ဆောင် မှု အတွက် အပူ ရောင်ခြည် ၊

• အပူ ပို့ဆောင် မှု တိုးတက် မှု အတွက် စီဂျီ ချာနယ် များ ၊ နှင့်

• အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုညီညွတ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဆူးတောင်အကွာအဝေး။

၉. FinFET ၏ အကျိုးကျေးဇူး များ နှင့် အားနည်းချက် များ

၉.၁ အကျိုးကျေးဇူးများ

• စွမ်းအင် အသုံးပြု မှု နှင့် ယိုစိမ့် မှု လျော့နည်း ခြင်း : FinFET ရှိ ဂိတ် သည် ဆူးတောင် ကို ဘေး အများအပြား ပတ်ပတ် ထား ပြီး ၊ မြောင်း ကို ပိုမို ကောင်းမွန် စွာ ထိန်းချုပ် နိုင် ပြီး ယိုစိမ့် သော ရေစီးကြောင်း များ ကို သိသိသာသာ လျှော့ချ သည် ။ ၎င်း သည် နာနိုမီတာ စကေး သမုဒ္ဒရာ များ တွင် ပင် စွမ်းအင် နည်းပါး သော လုပ်ဆောင် မှု ကို ပြုလုပ် နိုင် သည် ။

• အနည်းဆုံး ချာနယ် တို အကျိုး သက်ရောက် မှု များ : FinFETs သည် အလွန် သေးငယ် သော ချာနယ် အရှည် များ တွင် ပင် တည်ငြိမ် သော လုပ်ဆောင် မှု ကို ထိန်းသိမ်း ထား သော ၊ ရေနိမ့် ခြင်း - လှုံ့ဆော် သော အတားအဆီး လျှော့ချ ခြင်း ( ဒီအိုင်ဘီအယ်လ် ) နှင့် အဆင့်အတန်း လျှော့ချ ခြင်း ကဲ့သို့ ချာနယ် တို အကျိုး သက်ရောက် မှု များ ကို နှိမ်နင်း သည် ။

• မြင့်မား သော တိုးချဲ့ မှု နှင့် အကျိုးအမြတ် : ၎င်း တို့ ၏ ဒေါင်လိုက် ဒီဇိုင်း ကြောင့် ၊ လက်ရှိ မောင်းနှင် မှု တိုးမြှင့် ရန် ဆူးတောင် အများအပြား ကို အပြိုင် ချိတ်ဆက် နိုင် သည် ။ ၎င်း သည် စွမ်းဆောင်ရည် ကို စွန့်လွှတ် ခြင်း မ ရှိ ဘဲ မြင့်မား သော ထရန်စီစတာ သိပ်သည်းဆ နှင့် တိုးချဲ့ နိုင် မှု ကို ခွင့်ပြု သည် ။

• အလွန် ကောင်းမွန် သော အဆင့် အောက် စွမ်းဆောင်ရည် : FinFETs ၏ မတ်စောက် သော အဆင့် အောက် ဆင်ခြေလျှော သည် စွမ်းအင် ထိရောက် မှု တိုးတက် လာ ပြီး အစောင့် လျှပ်စစ် စွမ်းအင် သုံးစွဲ မှု လျော့နည်း စေ သည် ။

• ချာနယ် ဆေးဝါး သုံးစွဲ မှု လိုအပ်ချက် များ လျှော့ချ ခြင်း : တိကျသော ချာနယ် ဆေးဝါး သုံးစွဲ မှု အပေါ် အကြီးအကျယ် မှီခို နေ သော မျက်နှာပြင် အမ်အက်စ်အက်ဖ်တီ များ နှင့် မ တူ ဘဲ ၊ ဖင်ဖက်တီ များ သည် အဓိက အားဖြင့် ဂြိုဟ်တု မှတစ်ဆင့် ထိရောက် သော ထိန်းချုပ် မှု ကို ရရှိ သည် ။ ယင်းက ကျပန်း dopant အပြောင်းအလဲများကို လျှော့ချပြီး ညီညွတ်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။

၉.၂ အားနည်းချက်များ

• ရှုပ်ထွေးပြီး ကုန်ကျစရိတ် များသော ထုတ်လုပ်မှု: 3D ဗိသုကာသည် အဆင့်မြင့် လစ်သရိုက်နည်းပညာ (EUV သို့မဟုတ် ပုံစံအမျိုးမျိုး) နှင့် တိကျသော ဆူးတောင်ပုံဖော်ခြင်းတို့လိုအပ်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုကို ပို၍ဈေးကြီးပြီး အချိန်ကုန်စေသည်။

• အနည်းငယ်မြင့်မားသော ကပ်ပါးပိုးများ– ဒေါင်လိုက်တောင်များနှင့် ကျဉ်းမြောင်းသောအကွာအဝေးသည် ထပ်မံကပ်ပါးနိုင်စွမ်းနှင့် ခံနိုင်ရည်များကို မိတ်ဆက်ပေးနိုင်ပြီး ယင်းက မြင့်မားသောလှိုင်းနှုန်းများတွင် အတူတူလုပ်ဆောင်မှုနှင့် ဆားကွေ့အမြန်နှုန်းကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။

• အပူအာရုံခံနိုင်စွမ်း: ကျဉ်းမြောင်းသောတောင်များမှတစ်ဆင့် အပူပျံ့နှံ့မှုသည် ထိရောက်မှုနည်းသောကြောင့် FinFETs သည် အလိုအလျောက် အပူပေးတတ်သည်။ ကောင်းစွာမစီမံပါက ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။

• အကန့်အသတ် ရှိ သော အန်တု ထိန်းချုပ် မှု ပြောင်းလဲ မှု : ပမာဏ သတ်မှတ် ထား သော ဆူးတောင် ဖွဲ့စည်းပုံ သည် အသေးစိတ် အကျယ် ညှိနှိုင်း မှု ကို ကန့်သတ် ထား ပြီး ၊ တိကျသော အန်တု ဘက်လိုက် ခြင်း နှင့် အလျင်အမြန် ထိန်းချုပ် မှု ကို အလွန့်အလွန် အမ်အက်စ်ဖက်တီ နှင့် နှိုင်းယှဉ် လျှင် ပိုမို ခက်ခဲ စေ သည် ။

၁၀. FinFET ၏ အသုံးအနှုန်း

• စမတ်ဖုန်း၊ တက်ဘလက်နှင့် လက်တော့ပ်များ: FinFETs သည် မျက်မှောက်ခေတ် မိုဘိုင်းလ်ပရိုဆာဆာနှင့် ဆော့ဖ်ဆပ်များ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်း တို့ ၏ ယိုစိမ့် မှု နည်းပါး မှု နှင့် မြင့်မား သော ပြောင်းလဲ မှု အမြန်နှုန်း သည် ရှည်လျား သော ဘက်ထရီ သက်တမ်း နှင့် အပူ ထုတ်လုပ် မှု အနည်းဆုံး ကို ထိန်းသိမ်း နေ စဉ် ကိရိယာ များ ကို စွမ်းအား ကြီးမား သော အသုံးအနှုန်း များ လုပ်ဆောင် ရန် ခွင့်ပြု သည် ။

• အိုင်အိုတီ နှင့် ဝတ်ဆင် နိုင် သော ကိရိယာ များ : စမတ် နာရီ များ ၊ ကျန်းမာရေး ခြေရာခံ ကိရိယာ များ ၊ နှင့် ကိရိယာ ကိရိယာ များ ကဲ့သို့ ကျစ်လျစ်လျူရှု သော စနစ် များ တွင် ၊ ဖင်ဖက်တီ များ သည် စွမ်းအင် အလွန် နည်းပါး သော လုပ်ဆောင် မှု ကို ပြုလုပ် နိုင် ပြီး ၊ သေးငယ် သော ဘက်ထရီ များ မှ ကြာရှည် သော အလုပ် ကို သေချာ စေ သည် ။

• AI, Machine Learning, and Data-Center Hardware: စွမ်းရည်မြင့် ကွန်ပျူတာစနစ်များသည် ထူထပ်သော ထရန်စီစတာ ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ပိုမြန်သော စီမံခန့်ခွဲမှုနှုန်းကို ရရှိရန် FinFETs အပေါ် မှီခိုအားထားသည်။ ဂျီပီယူ ၊ နဗ်ကြော ကွန်ယက် အရှိန်မြှင့် ကိရိယာ များ ၊ နှင့် ဆာဗာ စီပီအို များ သည် အိုင်အေ နှင့် ကွန်ပျူတာ အလုပ် များ အတွက် အန္တရာယ် ရှိ သော ၊ စွမ်းအင် ထိရောက် မှု တိုးတက် လာ ခြင်း နှင့်အတူ ပိုမို မြင့်မား သော ထုတ်လုပ် မှု ကို ပေး ပို့ ရန် ဖင်ဖက်တီ နော့ဒ် များ ( ၇ နမ် ၊ ၅ နမ် ၊ နှင့် ၃ နမ် ကဲ့သို့ ) ကို အသုံးပြု သည် ။

• ဆေး ဘက် ဆိုင်ရာ ရောဂါ စစ်ဆေး ရေး ကိရိယာ များ : သယ်ယူ နိုင် သော ပုံရိပ် စနစ် များ ၊ လူနာ モニター များ ၊ နှင့် ဓာတ်ခွဲခန်း ဆန်းစစ် စက် များ ကဲ့သို့ တိကျသော ကိရိယာ များ သည် တိကျမှန်ကန် သော အချက်ပြ စီမံ ခန့်ခွဲ မှု နှင့် အချက်အလက် လေ့လာ မှု အတွက် အသုံးပြု သော ၊ မြင့်မား သော စွမ်းရည် နှင့် ဆူညံသံ နည်းပါး သော လုပ်ဆောင် မှု များ ကို ပေါင်းစပ် ထား သော FinFET - အခြေပြု ပရိုဆာဆာ များ မှ အကျိုးကျေးဇူး ရရှိ သည် ။

• မော်တော်ကား နှင့် အာကာသ အာကာသ အီလက်ထရွန်နစ် : FinFETs ကို အဆင့်မြင့် ယာဉ်မောင်း အကူအညီ စနစ် ( အေဒီအေအက်စ် ) ၊ သတင်း ဖျော်ဖြေ မှု ပရိုဆာဆာ များ ၊ နှင့် ပျံသန်း မှု ထိန်းချုပ် အီလက်ထရွန်နစ် များ တွင် တိုး ၍ အသုံးပြု နေ ကြ သည် ။

• အမြန်နှုန်းမြင့်ကွန်ယက်နှင့် ဆာဗာများ: ရူတာများ၊ ခလုတ်များနှင့် ဆက်သွယ်ရေးအခြေစိုက်စခန်းများက ဂီဂါဘစ်နှင့် တာရာဘစ်အမြန်နှုန်းဖြင့် ကြီးမားသော ဒေတာသွားလာမှုကို ကိုင်တွယ်ရန် FinFET အခြေပြုအိုင်စီများကို အသုံးပြုသည်။

၁၁. FinFET ၏ အနာဂတ်

ဖင်အက်ဖ်တီ များ သည် ဂိတ် ထိန်းချုပ် မှု တိုးတက် စေ ခြင်း နှင့် ယိုစိမ့် မှု လျှော့ချ ခြင်း ဖြင့် ၊ မော်ရီ ၏ ဥပဒေ ကို ဆယ်စုနှစ် တစ် ခု ကျော် တိုး ချဲ့ ခြင်း ဖြင့် ၊ ၇ နမ် ၊ ၅ နမ် ၊ နှင့် ၃ နမ် နော့ဒ် အထိ ဆက်လက် စကေး ကို တွန်းအား ပေး ခဲ့ သည် ။ သို့သော်လည်း ဆူးတောင်များ သေးငယ်လာသည်နှင့်အမျှ အပူတိုးလာခြင်း၊ အလိုအလျောက်အပူပေးခြင်းနှင့် ထုတ်လုပ်ကုန်ကျစရိတ် မြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သော ပြဿနာများက နောက်ထပ်စကေးကို ကန့်သတ်ထားသည်။ ဤ စိန်ခေါ် ချက် များ ကို ဖြေရှင်း ရန် ၊ စက်မှု လုပ်ငန်း သည် ဂိတ် သည် လမ်းကြောင်း ကို အပြည့်အဝ ဝန်းရံ ထား သော ၊ ဂိတ် - ပတ်ပတ်လည် အက်ဖ်တီ ( ဂျီအေအေအက်ဖ်တီ ) သို့မဟုတ် နာနို ချပ်ပြား ထရန်စီစတာ ဆီသို့ ရွှေ့ပြောင်း နေ သည် ။ ဤ ဒီဇိုင်း အသစ် သည် ပိုမို ကောင်းမွန် သော လျှပ်စစ် ထိန်းချုပ် မှု ၊ အလွန် နည်းပါး သော ယိုစိမ့် မှု ၊ နှင့် ၃ နမ် အောက် နော့ဒ် များ ကို ထောက်ပံ့ ပေး သည် - အေအိုင် ၊ ၅ဂျီ / ၆ ဂျီ ၊ နှင့် အဆင့်မြင့် ကွန်ပျူတာ များ ကို စွမ်းအား ပေး သော ပိုမို မြန်မြန် ၊ ပိုမို ထိရောက် သော ချစ်ပ် များ အတွက် လမ်းဖွင့် ပေး သည် ။

၁၂. နိဂုံး

FinFETs သည် ခေတ်သစ် ထရန်စီစတာ များ အား စွမ်းအင် ၊ စွမ်းဆောင်ရည် ၊ နှင့် အရွယ်အစား မျှတ မှု ကို မည်သို့ ရရှိ နိုင် ကြောင်း ပြန်လည် သတ်မှတ် ခဲ့ ပြီး ၊ ၃ နမ် ခေတ် အထိ ဆက်လက် စကေး လျှော့ချ နိုင် သည် ။ သို့တိုင် ၊ ထုတ်လုပ် မှု နှင့် အပူ စိန်ခေါ် မှု များ ပေါ်ပေါက် လာ သောကြောင့် ၊ စက်မှု လုပ်ငန်း သည် ယခု ဂိတ်-ပတ်ပတ်လည် အက်ဖ်တီ ( ဂျီအေအက်ဖ်တီ ) ဆီသို့ ပြောင်းရွှေ့ သွား သည် ။ အဆိုပါ ဆက်ခံ သူ များ သည် အလွန် ထိရောက် မှု ၊ အမြန်နှုန်း မြင့် ၊ နှင့် သေးငယ် သော အီလက်ထရွန်နစ် နည်းပညာ များ ၏ နောက် မျိုးဆက် ကို မောင်းနှင် သော ၊ FinFET ၏ အမွေအနှစ် အပေါ် တည်ဆောက် သည် ။

၁၃. မေးတတ်သောမေးခွန်းများ [FAQ]

၁၃.၁ Q1. FinFET သည် ပရိုဆာဆာ များ တွင် စွမ်းအင် ထိရောက် မှု ကို မည်သို့ တိုးတက် စေ သနည်း ။

FinFETs သည် မြောင်းကို ပိုမိုတင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ပေးခြင်းဖြင့် ရေစီးကြောင်းကို လျှော့ချပေးသည်။ ဤ ဒီဇိုင်း သည် ဖြုန်းတီး သော စွမ်းအင် ကို လျော့နည်း စေ ပြီး မိုဘိုင်း နှင့် စွမ်းရည် မြင့်မား သော ချစ်ပ် များ အတွက် အဓိက အကျိုးကျေးဇူး တစ် ခု ဖြစ် သော ၊ အမြန်နှုန်း ကို စွန့်လွှတ် ခြင်း မ ရှိ ဘဲ ပရိုဆာဆာ များ ကို နိမ့်ကျ သော ဗွီတီ များ တွင် လုပ်ဆောင် ရန် ခွင့်ပြု သည် ။

၁၃.၂ Q2. FinFET ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဘယ်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသနည်း။

ဖင်အက်ဖ်တီ များ သည် အများအားဖြင့် အကာအကွယ် အတွက် ဟက်ဖ်နီယမ် အောက်ဆိုဒ် ( အိတ်ခ်ျအက်ဖ်အို₂ ) ကဲ့သို့ မြင့်မား သော κ ဒိုင်အီလက်ထရစ် များ နှင့် တိုင်တနီယမ် နိုက်ထရိုက် ( တီအန် ) သို့မဟုတ် တန်စတန် ( ဒဗလျူ ) ကဲ့သို့ သတ္တု ဂိတ် များ ကို အသုံးပြု သည် ။ ဤ ပစ္စည်း များ သည် ဂိတ် ထိန်းချုပ် မှု ကို တိုးတက် စေ ပြီး ၊ ယိုစိမ့် မှု ကို လျှော့ချ ပြီး ၊ နာနိုမီတာ လုပ်ငန်းစဉ် အဆင့် များ ကို ယုံကြည် စိတ်ချ ရ သော စကေး ကို ထောက်ပံ့ ပေး သည် ။

၁၃.၃ Q3 ။ FinFETs သည် ၅ nm နှင့် ၃ nm နည်းပညာ များ အတွက် အဘယ်ကြောင့် ပိုမို သင့်လျော် သနည်း ။

၎င်းတို့၏ 3D ဖွဲ့စည်းပုံသည် အလွန်သေးငယ်သော သမုဒ္ဒရာများတွင်ပင် ချာနယ်တို အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို ကာကွယ်ပေးသည်။ ၎င်း သည် ဖင်ဖက်တီ များ ကို ၅ နမ် နှင့် ၃ နမ် ကဲ့သို့ နက်ရှိုင်း သော မိုက်ခရွန် အဆင့် များ တွင် တည်ငြိမ် ပြီး ထိရောက် မှု ရှိ စေ သည် ။

၁၃.၄ Q4 ။ အယ်လက္ခဏာ ဆားကွေး ဒီဇိုင်း တွင် FinFETs ၏ ကန့်သတ်ချက် များ ကား အ ဘယ် နည်း ။

FinFETs တွင် ရေစီးကြောင်းနှင့် အကျိုးအမြတ်ကို အသေးစိတ်ညှိခြင်းကို ကန့်သတ်ထားသော ဆူးတောင်အရေအတွက်ဖြင့် သတ်မှတ်ထားသော ချာနယ်အကျယ်များကို ကန့်သတ်ထားသည်။ ၎င်း သည် အဆက်မပြတ် အကျယ် ရွေးချယ် မှု များ ရှိ သော ၊ ပလန့်တန်း ထရန်စီစတာ များ ထက် တိကျသော အန်တု ဘက်လိုက် မှု နှင့် အလျင်အမြန် ညှိနှိုင်း မှု များ ကို ပိုမို ခက်ခဲ စေ သည် ။

၁၃.၅ Q5 ။ အနာဂတ် ချစ်ပ်ပြား များ တွင် မည်သည့် နည်းပညာ က ဖင်အက်ဖ်တီ ကို အစားထိုး မည် နည်း ။

ဂိတ်-ပတ်ပတ်လည် အက်ဖ်တီ ( ဂျီအေအေအက်ဖ်တီ ) ကို ဖင်ဖက်တီ များ ကို အောင်မြင် ရန် သတ်မှတ် ထား သည် ။ ဂျီအေအက်ဖ်တီ တွင် ၊ ဂိတ် သည် ချာနယ် ကို အပြည့်အဝ ဝိုင်းရံ ထား ပြီး ၊ ပိုမို ကောင်းမွန် သော လက်ရှိ ထိန်းချုပ် မှု ၊ ယိုစိမ့် မှု လျော့နည်း ခြင်း ၊ နှင့် ၃ နမ် အောက် တိုး ချဲ့ နိုင် မှု ကို ပိုမို ကောင်းမွန် စေ ပြီး ၊ နောက် မျိုးဆက် အေအိုင် နှင့် ၆ ဂျီ ပရိုဆာဆာ များ အတွက် အကောင်း ဆုံး ဖြစ် သည် ။